Anti -atspindinčios plėvelės gamybos procesas

Technologinis procesas
Pateikite augimo medžiagas ir dujų šaltinius: pateikite augimo medžiagas anti -atspindinčioms plėvelėms, tokioms kaip SIO kai kuriuose įgyvendinimo variantuose, kartu teikdami dujų šaltinius, atitinkančius augimo medžiagas, tokias kaip SIH ₄, N ₂ O ir N ₂ dujų šaltinių deriniai .
Anti atspindžio sluoksnio susidarymas: naudokite tą pačią augimo medžiagą, kad nuosekliai suformuotumėte bent du anti-atspindžio anti-atspindžio plėvelės sluoksnius ant substrato sluoksnio . substrato sluoksnis gali apimti SIO sluoksnį, SI sluoksnį ir absorbcijos sluoksnį seka (pirmoji antientė “(pirmoji antientė (1} atspindi, o antrąsias antiespektyvus (1} atspindys“ (pirmiausia-antrąjį. sluoksnis) kaip pavyzdys, jis susidaro epitaksinio augimo proceso metu (pvz., Plazmos patobulintas cheminio garų nusodinimo metodas PECVD) . Konkretūs žingsniai yra šie:
Substrato apdorojimas: po puslaidininkių valymo proceso ant substrato sluoksnio padėkite substrato sluoksnį ant CVD nusėdimo įrangos .
Įrangos parametrų nustatymai: Valdykite CVD nusodinimo įrangos viršutinę elektrodo temperatūrą iki 200-300 laipsnio ir apatinės elektrodo temperatūros iki 250-350 laipsnio .
Pirmojo anti -atspindžio sluoksnio augimas: sureguliuokite pirmuosius CVD nusėdimo įrangos nusėdimo parametrus, įskaitant pirmąjį SIH ₄, N ₂ O ir N ₂ tūrio srauto greitį, pirmąjį dujų slėgį, pirmąjį CVD nusėdimo įrangos RF galią, pirmąjį plonojo filmo nusėdimo laiką ir tt. 10-200 nm ir lūžio rodiklio diapazonas 1.4-1.71.
Antrojo anti -atspindžio sluoksnio augimas: sureguliuokite antrąjį CVD nusėdimo įrangos nusėdimo parametrus, įskaitant antrojo tūrio srauto greitį SIH ₄, N ₂ O ir N ₂, antrąjį dujų slėgį, antrąjį RF galią, kad CVD nusodinimo įranga, antrasis plonos plėvelės nusėdimo laikas ir tt. 10-200 nm diapazonas ir lūžio rodyklės diapazonas 1.4-1.71.

Technologiniai pranašumai
Naudojant tą pačią augimo medžiagą, anti -atspindžio plėvelė gali pasiekti tą patį anti -atspindžio efektą, palyginti su sukrautomis skirtingų medžiagų anti -atspindžio plėvelėmis, sumažindama naudojamų dujų šaltinių tipus, mažindama paruošimo proceso sunkumus ir padidindama paruošimo vietą ir darbo plotą dėl dujų šaltinių laikymo ir naudojimo paruošimo proceso metu .}}.

Hibridinio SIO ₂/tio ₂ anti -atspindinčios plėvelės gamybos procesas

Technologinis procesas
Substrato paruošimas: Pasirinkite skaidrius substratus, tokius kaip stiklas, organinis stiklas, poliimido plėvelė ir tt ., ir atlikite dėmių pašalinimo apdorojimą, kad būtų užtikrintas švarus ir be dulkių paviršiaus ., jei reikia, norint pagerinti šviesos perdavimo efektyvumą .} .}.}}.
Filmo pirmtako paruošimas: tetraetoksiilanas (TEOS) ir tetrabutil titanatas (TBT) pridedamas prie etanolio, kuriame yra NH ₄ OH tam tikra proporcija, ir reakcija laikoma 9-12 valandoms, kad būtų galima gauti skaidrią SOL - gelio sistemą .}}}}..}.}.}}.}..}.}.... reakcija.
Coating and curing: the prepared sol gel system is evenly coated on the transparent substrate, and spin coating, spraying, brushing and other schemes can be used. After coating, the hybrid SiO ₂/TiO ₂ film precursor is placed in an oven for curing and annealing treatment, forming a multi-layer structure.
Apskritinė danga: pakartokite dangos ir kietėjimo procesą, kol bus gautas norimas anti -atspindintis efektas . skirtingas dangos laikas ir sekos turės įtakos anti -atspindinčių plėvelių veikimui, o reikalingi tyrimai ir optimizavimas .
Paviršiaus apdorojimas: Siekiant padidinti anti -atspindinčios plėvelės patvarumą ir stabilumą, hidrofilinio ir hidrofobinio polimero sluoksnį galima padengti anti -atspindinčios plėvelės paviršiuje .

Infraraudonųjų spindulių anti -atspindinčios plėvelės gamybos procesas
Technologinis procesas
Infraraudonųjų spindulių anti atspindžio plėvelė yra pagrįsta siliciu ir padengtas anti -atspindžio plėvelėmis abiejose substrato pusėse . Anti atspindžio plėvelės struktūra nepriklauso vienas nuo kito kaip (hl) ^ s, kur h reiškia Si sluoksnį, o SIO yra SIO sluoksnis. SI sluoksnis yra greta substrato, o SIO sluoksnis yra ant paviršiaus .. Dengimo procesas naudojamas pritvirtinti plėvelės sluoksnį prie substrato, o SIO plėvelės sluoksnis kaip išorinis sluoksnis, kuris turi aukštą paviršiaus kietumą, ir nereikalauja papildomo apsauginio sluoksnio ., papildomai, o toliau - mažesnis paviršiaus paviršiaus atspindėjimas, kuris papildomai atspindi, o tai nereikalauja, kad būtų galima atspindėti papildomą atspindį, o tai nereikalauja papildomo apsauginio sluoksnio. perdavimas .

Aukštos temperatūros atsparios CO ₂ lazerinės anti-atspindinčios plėvelės gamybos procesas
Technologinis procesas
Medžiagos ištirpimas: Atskiras gydymas prieš lydymą atliekamas ant YTTRIUM fluoro, kalcio yttrium fluorido ir cinko selenido plėvelės medžiagų, kad būtų pašalinti priemaišos plėvelės medžiagos viduje .
NUSTATYMO PRYLĖS SLENYS: Pirmasis YTTRIUM fluoro sluoksnis, YTTRIUM kalcio fluoro sluoksnis, cinko selenido sluoksnis ir antrasis „Yttrium“ fluorido sluoksnis yra nuosekliai nusėdus Substrato sluoksnio paviršiaus plotas . Kiekvieno sluoksnio fizinio storio reikalavimai yra šie: pirmojo YTTRIUM fluoro sluoksnio fizinis storis yra 95-100 nanometrai; Ytterbium kalcio fluoro sluoksnio fizinis storis yra 860-870 nanometrai; Fizinis cinko selenido sluoksnio storis yra 240-250 nanometrai; Antrojo Yttrium fluoro sluoksnio fizinis storis yra 95-100 nanometrai.
 

Technologiniai pranašumai
Paruoštoje anti -atspindžio membranoje yra paprasta struktūra ir išskirtinis dizainas .. sukelti pažeidimą operatoriams ir aplinkai .